フラッシュメモリとは？EEPROM・SRAM・DRAMとの違い【基本情報技術者試験】

まず結論

フラッシュメモリとは、電源を切っても内容が消えない不揮発性メモリで、電気的に消去・書換えできる半導体メモリです。

基本情報技術者試験では、次のように判断すると選択肢を切りやすくなります。

用語	何を見る？	判断の合図
フラッシュメモリ	不揮発性で電気的に消去・書換え	USBメモリ、SDカード、SSD、EEPROM系
UV-EPROM	紫外線で消去	紫外線、窓付きパッケージ、全消去
EEPROM	電気的に消去・書換え	Electrically Erasable、バイト単位など
SRAM	高速でキャッシュ向き	キャッシュメモリ、高速、リフレッシュ不要
DRAM	主記憶向き	リフレッシュ必要、主記憶、大容量
ROM	読出し中心	電源を切っても消えない、書換え制限
RAM	読書き可能だが揮発性が基本	主記憶、作業用、電源断で消える

問題文に「不揮発性」＋「電気的に消去・書換え」が出たら、フラッシュメモリを疑います。

フラッシュメモリは、電源を切っても中身が残るメモです。

DRAM・SRAM
→ 電源を切ると内容が消える

フラッシュメモリ
→ 電源を切っても内容が残る

さらに、古いEPROMのように紫外線で消すのではなく、電気的に消去・書換えできます。

つまり、フラッシュメモリは消えない記憶を、電気的に書き換えられるメモリと考えると分かりやすいです。

フラッシュメモリは、不揮発性の半導体メモリの一種です。

電源を切っても内容が保持され、電気的に内容を消去して書き換えることができます。

代表的な用途は次のとおりです。

ROM系に分類されることがありますが、まったく書き換えられないROMとは違い、書換えが可能です。

メモリ	揮発性	主な特徴
ROM	不揮発性	読出し中心。電源を切っても消えない
EPROM	不揮発性	紫外線で消去して書換え可能
EEPROM	不揮発性	電気的に消去・書換え可能
フラッシュメモリ	不揮発性	電気的に消去・書換え可能。大容量化しやすい
SRAM	揮発性	高速。キャッシュメモリに使われる
DRAM	揮発性	大容量化しやすい。主記憶に使われる。リフレッシュが必要

このテーマは、基本情報技術者試験の「コンピュータシステム」や「メモリ」と関係する内容です。公式の出題範囲やシラバスは、IPA：基本情報技術者試験から確認できます。

科目Aでは、メモリの特徴から用語を選ぶ問題が出やすいです。

問題文の表現	選びたい用語
不揮発性で、電気的に全部または一部を消去して書き直せる	フラッシュメモリ
紫外線で全内容を消して書き直す	UV-EPROM
電気的に消去・書換えできるROM	EEPROM
高速に読み出せるのでキャッシュメモリに使われる	SRAM
リフレッシュが必要で、主記憶に広く使われる	DRAM
電源を切ると内容が消える	揮発性メモリ、RAM系
電源を切っても内容が残る	不揮発性メモリ、ROM系・フラッシュメモリ

フラッシュメモリを選ぶ合図は、次の2つです。

不揮発性
＋
電気的に消去・書換え

メモリの問題は、次の順番で見ると整理しやすいです。

1. 電源を切ると消えるか
2. どの方法で消去・書換えするか

電源断で消える + リフレッシュ必要
→ DRAM

電源断で消える + 高速 + リフレッシュ不要
→ SRAM

不揮発性 + 紫外線で消去
→ UV-EPROM

不揮発性 + 電気的に消去・書換え
→ EEPROM・フラッシュメモリ

フラッシュメモリはEEPROMの一種として扱われることがあります。

FE試験では、次のような表現で切り分けます。

バイト単位など細かく書換える
→ EEPROM

ブロック単位でまとめて消去し、大容量記憶に使う
→ フラッシュメモリ

ただし、問題文の定義や選択肢を優先してください。

フラッシュメモリは、電源を切った後もプログラム、設定、利用者データを保持したい場面で使います。

持ち運び用のデータを保存する
→ USBメモリ・SDカード

大容量の補助記憶として使う
→ SSD

機器のプログラムや設定を保持する
→ 組込み機器

一方、処理中の一時的な作業領域や主記憶として使うならDRAM、CPUに近い高速なキャッシュならSRAMを考えます。

長期保存
→ フラッシュメモリ

主記憶
→ DRAM

キャッシュ
→ SRAM

混同	正しい切り分け
フラッシュメモリはRAMである	書換え可能だが、不揮発性メモリとしてROM系に分類されることがある
フラッシュメモリはキャッシュメモリに使う	キャッシュメモリは高速なSRAMが代表的
フラッシュメモリはリフレッシュが必要	リフレッシュが必要なのはDRAM
フラッシュメモリは紫外線で消去する	紫外線で消去するのはUV-EPROM
不揮発性ならすべて書換え不可	EEPROMやフラッシュメモリは電気的に書換え可能

試験では、速いからキャッシュならSRAM、リフレッシュならDRAM、電源断でも保持して電気的に書換えならフラッシュメモリと切り分けます。